Self-aligned gate
Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, en silicium polycristallin très dopé, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET.
Schéma d'un transistor MOSFET vu en coupe.
La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en .
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